ISP离子源电源

主要型号：

主要特点：
   A具有行动稳定电压功能，具有理想的电压陡降特性，有效抑制离子源源头表面打火。
   B 直流叠加脉冲输出，峰值可达2000V。
   C 频率40kHz，占空比45%~90%。
   D 可选择手动控制/模拟量接口控制，可选配RS485通讯接口。
采用先进的PWM脉宽调制技术，使用进口IGBT或MOSFET作为功率开关器件，
体积小、重量轻、功能全、性能稳定可靠，生产工艺严格完善。
该系列产品采用先进的DSP控制系统，充分保证镀膜工艺的重复性，
并且具有抑制靶材弧光放电及抗短路功能，具
有极佳的负载匹配能力，既保证了靶面清洗工艺的稳定性，又提高了靶面清洗速度；
主要参数均可大范围连续调节；
方便维护，可靠性高；
PLC接口和RS485接口扩展功能，方便实现自动化控制。

主要用途：

ISP离子源电源适用于阳极层离子源驱动电源。

随着电力电子技术的高速发展，电子设备与人们的工作、生活关系日益密切，而电子设备都离不开可靠的电源。作为设备制造领域必不可少的电子元器件之一，大功率开关电源厂家的开关电源技术随着电力电子技术的发展和创新而在不断创新。目前，市场上存在的开关电源种类繁多，开关电源厂家更是不计其数，随着设备制造商对电源开关种类的多样化需求，开关电源制造商在不断生产出更多种类的开关电源。现在计算机、通讯、电子设备以及家用电器设备等多种领域都在广泛的使用开关电源，这些领域设备更新迅速，产品淘汰率高，所需的开关电源种类总在不断更替，更加促进了开关电源市场的迅猛发展。

在信息存储领域中：薄膜材料作为信息记录于存储介质，有其得天独厚的优势：由于薄膜很薄，可以忽略涡流损耗；磁化反转极为迅速；与膜面平行的双稳态状态容易保持等。为了更精密地记录与存储信息，必然要采用镀膜技术。

在集成电路制造中：晶体管路中的保护层（SiO2、Si3N4）、电极管线（多晶硅、铝、铜及其合金）等，多是采用CVD技术、PVCD技术、真空蒸发金属技术、磁控溅射技术和射频溅射技术。可见，气相沉积是制备集成电路的核心技术之一。

电源作为各种电子设备不可获取的组成部分，其性能优劣直接关系到电子设备的技术指标级能否安全可靠。如今的开关电源由于本身低能量消耗和较高的电源效率而取代了早期效率低、耗能高的线性电源，被广泛用于电子计算机、通讯、家电等各个行业，被誉为高效节能型电源。